近日，系统结构研究室边缘性缺陷测试研究团队采用双比较器交叉输入的对称设计，区分参考电容和测试TSV的电压偏斜，扩大电阻性开路缺陷的检测范围。相关成果以“Prebond Test of TSV Based on Voltage Skew Amplification”为题发表在电路与系统领域的国际顶级期刊 IEEE Transactions on Circuits and Systems II: Express Briefs上(Doi: 10.1109/TCSII.2025.3615635)。

在集成芯片的制造过程中，硅通孔(TSV)中会出现许多缺陷，这会影响通过TSV的信号的完整性。TSV键合前测试可以在堆叠之前定位有缺陷的TSV，增加早期获得已知良好芯片的可能性，从而提高产品良率。现有的测试方法存在测试面积大、时间开销大、测试精度低等问题。该团队选择NMOS作为门控器件，以减少共享测试的面积开销。使用双比较器交叉输入设计放大被测TSV和参考电容之间的电压差，从而能够检测到39Ω的阻性开路缺陷和5MΩ的泄漏缺陷。与最新测试方法相比，这种方法具有对电阻性开路缺陷的高检测精度以及最小测试面积和时间开销的优点。

该论文得到国家重大科研仪器研制项目及国家自然科学基金项目的资助。合肥工业大学为该论文唯一署名单位。作者包括博士生窦贤锐、梁华国教授、黄正峰教授、鲁迎春副教授（通讯作者）、汪月博士、陈田副教授、刘军副教授、。

论文链接地址：https://ieeexplore.ieee.org/document/11184622