第33周大组讨论会：2019-24

时间：2019年10月9日，晚上19：00

地点：科教楼 A1706

报 告 人：2018级  杨潇

报告题目：基于C单元的高可靠双边沿触发器

报告摘要：

随着集成电路产业发展，工艺尺寸不断降低，器件的缩放降低了栅极电容，导致对于辐射等引起的软错误的敏感度越来越高，电路中出现单粒子翻转（Single Event Upset， SEU）的可能性越来越大。另一方面，技术的进步要求更高的吞吐量和数据速率。为了缓解这些问题，本文基于电路级加固技术，提出了一种使用C单元的单粒子翻转自恢复双边沿触发器。与传统的双边沿触发器相比，本文提出的触发器具有单粒子翻转自恢复的特点，而且在功耗，功耗延迟积（Power Delay Product， PDP）等具有优势。该结构可靠性高、性能优良，在提高芯片的可靠性方面具有重要意义，有实用价值。