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2018年12月25号大组会报告:左小寒
  点击数:156发布时间:2018-12-25



第17周大组讨论会

时间:2018年12月25日,19:00

地点:双子楼A座 1706

报告人:左小寒

报告题目:针对TSV聚簇故障的高可靠性冗余架构

报告摘要:

    使用硅通孔(TSV)的三维集成技术提供诸如低功耗、小外形尺寸和大带宽的优点。 但是,由于三维制造工艺的不完整性,TSV可能会出现一些空洞、短路故障及开路故障等缺陷,从而使整个三维集成电路失效。提升TSV良率对于提升芯片产量来说至关重要。在TSV制造过程中,如果一个TSV有缺陷,与故障TSV相邻的TSV发生故障的可能性增加,倾向产生故障聚簇现象。本次报告文章针对TSV故障聚簇,提出一种高可靠性冗余方案,相比以往路由及环形冗余方案,可以高修复率和低硬件开销实现对TSV故障聚簇的修复,并且在聚簇严重的情况下依然适用。

关键词:3D IC,故障TSV,良率,冗余修复


   
   
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