第11周 大组讨论会
时间：2018年5月10日 18:30
地点：双子楼B座503
报告人：吴明
报告题目：65nm工艺下一种新型精简存取管的抗加存储单元
(A Novel Soft Error Robust SRAM Featuring Access Transistor-Less Cell In 65-nm)
报告摘要：静态随机存储器（static random access memory,SRAM）具有可靠性高，存取速度快及能够和逻辑电路相兼容的特点，使得它在高性能处理器和片上系统结构中占据了重要的地位。我们在先前结构的基础上提出了一种精简存取管结构的SRAM单元，没有专用的存取管，拥有差分读写能力且具有较强的鲁棒性，能够完全容忍单点翻转，并部分容忍双点翻转。该单元显示了良好的读写能力和稳定性，与传统的DICE单元相比，静态功耗显示了2.5倍的改善，读操作电流显示了7.8倍的改善。