第8周 大组讨论会
时间：2018年4月19日 18:30
地点：双子楼B座503
报告人：李雪健
报告题目：一种65nm工艺下的高性能加固12T存储单元设计
（A High Performance Radiation Hardened 12T Memory Cell Design in 65nm Process
）
报告摘要：
本文提出了一种新型的抗辐射加固12T存储单元，其基于物理翻转机制结合合理的版图级技术可以有效容忍存储单元中的单节点翻转和由于电荷共享导致的双节点翻转。基于65nm PTM工艺的HSPICE仿真结果证实了所提出的存储单元对SNU和DNUS提供很好的鲁棒性。与RHM-P存储单元相比，所提出的存储单元的功耗，面积开销，读时间和写时间分别减小了24.78%，30.00%，46.34%和38.17%。一个新的衡量指标MAPA用来评估存储单元的总体设计，例如面积开销，存取时间，功耗和稳定性，在MAPA对比中所提出的存储单元表现最好，意味着该存储单元在面积开销，存取时间，功耗和稳定性方面取得了很好的折中。