第 十 七 周  大组讨论会

时间：  2017  年  6  月 14 日   19 点

地点：  斛兵  楼  210   号会议室
报告人：周光辉
报告题目：电平转换电路的老化分析和老化容忍设计

报告摘要：

       本次报告主要内容：在现代集成电路中，负偏置温度不稳定性(negative bias temperature instability, NBTI)导致的老化问题是影响电路可靠性的关键性因素。NBTI会引起PMOS管阈值电压增加，延迟增加，最终引起时序违规。多电压设计，是现代集成电路电路降低功耗的有效手段，其中在不同的电压域之间要插入电平转换电路(Level Shifter),来满足不同电压域间信号的传递,电平转换电路同样遭受严重的NBTI影响，并且其延迟和功耗退化直接影响多电压系统中的不同模块。本文在32nm工艺尺寸温度100℃下，分析了NBTI对电平转换电路的影响，实验表明在经过十年老化后，在最严重情况下，NBTI可以使电路的延迟增加29.34％，功耗增加13.34％，对电路可靠性影响巨大。本文设计了一种新的电平转换电路，改进的电路的结构，并采用双阈值设计。实验表明，本文设计的电路与原电路相比，可以在更低的输入低电平下正常工作，并且具有十分巨大的容忍老化的能力。

请报告人提前20分钟开门。
请各位同学提前10分钟到场签到，各位老师准时参加。