第  十 六 周  大组讨论会

时间：  2017  年  6  月 7  日   7 点

地点：  斛兵  楼  210   号会议室
报告人：聂牧
报告题目：针对三维芯片硅通孔潜在故障修复方法研究

报告摘要：

本次报告主要内容为三维芯片潜在故障修复技术研究。三维芯片作为下一代芯片设计的主流技术，保证其产品良率是十分重要的。而硅通孔是三维芯片的关键技术，其可靠性可能由于电迁移（EM）效应，导致在工作期间产生孔隙，使得硅通孔时延和电阻增加，造成故障而成为影响良率的严重问题。本次报告首先将简单介绍三维芯片潜在故障修复方法研究背景，包括研究的目的、意义、方法和国内外研究现状。然后详细分析硅通孔故障修复技术，汇报3D test小组目前在该方向的研究进展。最后对三维芯片故障修复方法研究进行总结和展望。

请报告人提前20分钟开门。
请各位同学提前10分钟到场签到，各位老师准时参加。