第  十二 周  大组讨论会

时间：  2017 年 5 月 10 日  19 点

地点：  斛兵楼  210  号会议室

报告人：丁力

报告题目：采用双阈值配置PMOS管的抗老化N型多米诺或门

报告摘要：

N型多米诺或门是高性能集成电路常用的动态单元，负偏置温度不稳定性(NBTI)引起的PMOS晶体管老化已经成为降低多米诺或门电路可靠性的重要因素。仿真分析表明N型多米诺或门各PMOS晶体管受NBTI影响有明显差别，并针对这种差异提出一种双阈值多米诺或门。对关键的保持器和反相器PMOS管，采用低阈值电压设计。仿真结果表明，在保证噪容及功耗性能条件下，采用双阈值配置PMOS管的多米诺或门10年NBTI老化后仍有0.397%的时序余量。

请报告人提前20分钟开门。

请各位同学提前10分钟到场签到，各位老师准时参加。