为拓宽师生学术视野，深化国际学术交流，4月24日，加拿大萨斯喀彻温大学陈力教授应邀到访合肥工业大学微电子学院，作题为“Radiation Effects in Advanced CMOS Technologies”的专题学术报告。本课题组师生现场聆听报告，共同探讨前沿学术问题。

 陈力教授长期致力于微电子辐射效应、抗辐射数字与模拟电路系统领域的研究，学术成果丰硕，在国际相关领域具有较高影响力。

 报告中，陈力教授围绕先进CMOS技术中的辐射效应展开深入讲解，简要介绍了辐射环境的主要类型，系统阐述了FDSOI、FinFET的辐射特性，重点分析了FinFET技术中的单粒子效应及误差率变化趋势、离子撞击角度影响等关键问题。同时，他还介绍了不同CMOS技术的抗辐射加固设计方法，并分享了其团队在22nm FDSOI节点辐射加固32位RISC-V微控制器上的最新研究成果。

 互动环节中，师生们积极提问，就辐射效应建模、抗辐射技术应用等热点问题与陈力教授深入交流探讨。陈力教授耐心解答疑问，结合自身科研经验给出专业建议，现场学术氛围浓厚。

 此次报告兼具学术深度与实践价值，不仅为师生们搭建了国际学术交流的桥梁，拓宽了大家在先进CMOS技术辐射效应领域的研究视野，也为学院后续开展相关领域科研工作、深化国际合作奠定了良好基础。