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2024级杨仕成同学在TDMR发表高水平论文
  点击数:10发布时间:2026-04-23

祝贺杨仕成同学在TDMR发表高水平论文

近日,黄正峰课题组提出一系列容忍多节点翻转的加固锁存器。首先基于SAR锁存器,设计了一种具有双节点翻转自恢复能力的DSAR锁存器。通过双DSAR冗余和两级C单元表决机制,提出了能够容忍五节点翻转的Quad-SAR锁存器,在面积、功耗和延迟之间实现了优化平衡。针对C单元高阻态(HIS)敏感性问题,采用五模冗余结合模拟表决器,设计了Quint-SAR锁存器,不仅有效容忍五节点翻转,而且对高阻态不敏感。相关成果以“Design of Quintuple-Node-Upset Hardened Latches Based on   C-Element Voting and an Analog Voter”为题发表在集成电路领域的国际顶级期刊IEEE Transactions on Device and Materials Reliability

该论文得到工信部XXX芯片项目的资助。合肥工业大学为该论文第一署名单位。作者包括黄正峰教授、杨仕成、吴建豪、王晓蕾副教授、鲁迎春副教授、潘俊、程凡教授、温晓青教授,闫爱斌教授为本文通讯作者。

论文链接地址:https://doi.org/10.1109/TDMR.2026.3680306

 


   
   
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